onsemi

650-V-EliteSiC-Siliziumkarbid-Dioden

Dioden von onsemi bieten überlegene Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit

Abbildung: 650-V-Siliziumkarbid-Dioden von onsemiDie Siliziumkarbid-(EliteSiC)-Schottky-Dioden von onsemi nutzen eine Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Kein Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängiges Schaltverhalten und eine hervorragende thermische Performance machen Siliziumkarbid zum Leistungshalbleiter der nächsten Generation. Zu den Systemvorteilen zählen hohe Effizienz, höhere Betriebsfrequenz, höhere Leistungsdichte, reduzierte EMI sowie reduzierte Systemgröße und -kosten.

Merkmale
  • Leicht parallel zu schalten
  • Hohe Stoßstrombelastbarkeit
  • Maximale Sperrschichttemperatur: +175 °C
  • Keine Sperrverzögerung/keine Durchlassverzögerung
  • Höhere Schaltfrequenz
  • Niedrige Durchlassspannung (VF)
  • Positiver Temperaturkoeffizient
  • AEC-Q100-konform und PPAP-tauglich
Anwendungen
  • HEV/EV-DC/DC-Wandler
  • HEV/EV-Bordladegeräte
  • Industrielle Stromversorgung
  • Leistungsfaktorkorrektur
  • Solartechnik
  • USV
  • Schweißen

650 V Silicon Carbide Diodes

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2FFSH5065B-F085DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2661 - Sofort
450 - Lagerbestand des Herstellers		$14.32Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO2472FFSH1065B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO24721565 - Sofort
4500 - Lagerbestand des Herstellers		$7.98Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3FFSP2065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-3764 - Sofort
1600 - Lagerbestand des Herstellers		$6.37Details anzeigen
DIODE SIC 650V 20A TO220F2FSFFSPF2065ADIODE SIC 650V 20A TO220F2FS0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAKFFSB1065B-F085DIODE SIL CARBIDE 650V 27A D2PAK1345 - Sofort
2400 - Lagerbestand des Herstellers		$3.79Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3FFSH1265BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 7.2A TO247-3576 - Sofort
4500 - Lagerbestand des Herstellers		$6.55Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 23A TO247-2FFSH1665ADIODE SIL CARB 650V 23A TO247-20 - Sofort$2.60Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3FFSH4065BDN-F085DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3135 - Sofort$11.20Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFNFFSM1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A 4PQFN4369 - Sofort$3.61Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2FFSH3065BDIODE SIL CARB 650V 37A TO247-2444 - Sofort$5.94Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665B-F085DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO2521888 - Sofort
130000 - Lagerbestand des Herstellers		$2.58Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO252FFSD1065BDIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2523828 - Sofort$2.74Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865B-F085DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2521520 - Sofort$3.14Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 9.1A TO252FFSD0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A TO2520 - Sofort$2.33Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 11.6A TO252FFSD0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A TO2524724 - Sofort$2.72Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFNFFSM0665BDIODE SIL CARB 650V 9.1A 4PQFN2918 - Sofort$3.16Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFNFFSM0865BDIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN2955 - Sofort
159000 - Lagerbestand des Herstellers		$2.98Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2LFFSP1065ADIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2L1380 - Sofort$4.54Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 23.4A TO252FFSD2065BDIODE SIL CARB 650V 23.4A TO2521379 - Sofort$4.58Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 22.8A TO263FFSB2065BDIODE SIL CARB 650V 22.8A TO2631398 - Sofort$4.21Details anzeigen

Other Wide Bandgap Solutions

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3NTHL080N120SC1SICFET N-CH 1200V 44A TO247-30 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472NDSH25170ADIODE SIL CARB 1700V 25A TO24720 - Sofort$14.75Details anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AAFFSD08120ADIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA4453 - Sofort$5.52Details anzeigen
DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOICNCD57001DWR2GDGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC1223 - Sofort$3.69Details anzeigen
IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFNNCP51705MNTXGIC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN711 - Sofort
84000 - Lagerbestand des Herstellers		$3.42Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-11-06

Related Videos

Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing
Industrial Automation: Intelligent Technologies for Fully Autonomous Manufacturing

Datum der Veröffentlichung: 2024-07-15

End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future
End-to-End SiC Manufacturing Capabilities and EliteSiC Family Solutions Advance a Sustainable Future

Datum der Veröffentlichung: 2024-05-21

Advantages of onsemi's EliteSiC Family
Advantages of onsemi's EliteSiC Family

Datum der Veröffentlichung: 2024-04-03

Related Product Highlight

SiC-MOSFETs NTHL Die SiC-MOSFETs der NTHL-Serie zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand und eine kompakte Chipgröße aus.
Breitlückige Halbleiter-Technologien onsemi bietet ein robustes Sortiment an hocheffizienten und intelligenten Leistungskomponenten, die ein vollständiges Ökosystem breitlückiger Halbleiter-Komponenten darstellen, einschließlich einer Vielzahl von SiC-Bauelementen zur Auswahl. Finden Sie die beste Lösung für Ihre Anwendung noch heute bei DigiKey!
UHD-Leistungswandlung onsemi bietet ein komplettes Portfolio an Stromversorgungsprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen zur Leistungsumwandlung, von MOSFETs, IGBTs, Leistungsmodulen und mehr. onsemi ist in der Lage, Ingenieure bei ihren kreativen Design-Innovationen zu unterstützen.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.
Wie man die Energieinfrastruktur effizienter und zuverlässiger macht und gleichzeitig die Kosten senkt Wie Siliziumkarbid (SiC) eingesetzt werden kann, um Energieinfrastruktursysteme effizienter und zuverlässiger zu machen und gleichzeitig den CO2-Ausstoß und die Kosten zu senken.
Allgemeine Geschäftsbedingungen Datenschutzhinweise Cookie-Einstellungen
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Alle Rechte vorbehalten.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member