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EliteSiC-MOSFET-Gate-Treiber NCx51705
Der 6-A-Hochgeschwindigkeits-Einzeltreiber von onsemi kann die maximal zulässige Gate-Spannung für einen EliteSiC-MOSFET-Baustein liefern
Der Low-Side-6-A-Einzeltreiber NCx51705 von onsemi ist in erster Linie für die Ansteuerung von EliteSiC-MOSFET-Transistoren vorgesehen. Um möglichst geringe Leitungsverluste zu erzielen, kann der Treiber die maximal zulässige Gate-Spannung an das EliteSiC-MOSFET-Bauelement liefern. Durch die Bereitstellung eines hohen Spitzenstroms während des Ein- und Ausschaltens werden auch die Schaltverluste minimiert. Für eine verbesserte Zuverlässigkeit, du/dt-Immunität und ein noch schnelleres Ausschalten kann der NCx51705 mit seiner integrierten Ladungspumpe eine vom Benutzer wählbare negative Spannungsschiene erzeugen. Für isolierte Anwendungen bietet der NCx51705 auch eine von außen zugängliche 5-V-Schiene zur Versorgung der Sekundärseite von digitalen oder Hochgeschwindigkeits-Optokopplern.
Ressourcen
- Technische Dokumentation: SiC-MOSFETs: Gate-Treiber-Optimierung
- Technische Dokumentation: Der Unterschied zwischen GaN- und SiC-Transistoren
- Video: Nutzung der Bandlücke in HEV/EV-Ladeanwendungen
- Hoher Spitzenausgangsstrom mit geteilten Ausgangsstufen
- Erweiterte positive Nennspannung von maximal 28 V
- Integrierte einstellbare negative Ladungspumpe (-3,3 V bis -8 V)
- Zugängliche 5-V-Referenz-/Vorspannungsschiene
- Einstellbare Unterspannungssperre
- Schnelle Entsättigungsfunktion
- QFN24-Gehäuse, 4 mm x 4 mm
- Ermöglicht eine unabhängige Ein/Aus-Anpassung
- Effizienter SiC-MOSFET-Betrieb während der Leitungsperiode
- Schnelles Ausschalten und robuste du/dt-Immunität
- Minimieren Sie die Komplexität der Vorspannungsversorgung in Anwendungen mit isoliertem Gate-Treiber
- Ausreichende VGS-Amplitude für optimale SiC-Leistung
- Selbstschutz des Designs
- Gering dimensioniertes Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität
- Hochleistungswechselrichter
- Hochleistungsmotor-Treiber
- Totem-Pole-PFCs
- Industrie und Motorantriebe
- USV und Solar-Wechselrichter
- Hochleistungs-Gleichstromladegeräte
NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 961 - Sofort 114000 - Lagerbestand des Herstellers | $4.58 | Details anzeigen |
|  | NCV51705MNTWG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 5116 - Sofort | $3.10 | Details anzeigen |
Other Wide Bandgap Solutions
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
|  | NDSH25170A | DIODE SIL CARB 1700V 25A TO2472 | 134 - Sofort | $14.03 | Details anzeigen |
|  | FFSD08120A | DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA | 2793 - Sofort 5000 - Lagerbestand des Herstellers | $5.17 | Details anzeigen |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1231 - Sofort | $4.87 | Details anzeigen |
|  | FFSB0665B | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO263 | 627 - Sofort | $2.41 | Details anzeigen |
Schweiz