Solarwechselrichter

Bei Hochleistungsanwendungen sind IGBTs nach wie vor die bevorzugte Wahl, da sie bei hohen Strömen und hohen Spannungen eine außergewöhnliche Performance bieten. Der größte Nachteil von IGBTs ist ihre geringere Schaltgeschwindigkeit, die für Solarwechselrichter nicht so wichtig ist. onsemi bietet sowohl diskrete IGBTs als auch stärker integrierte Modullösungen an. Field Stop7 ist die neue 1200-V-IGBT-Familie, die auf minimale Leitungsverluste optimiert ist.

Komponenten aus Siliziumkarbid eignen sich besser für höhere Spannungen als herkömmliche Silizium-MOSFETs und verringern die Leitungsverluste. SiC-Wechselrichter weisen geringere Verluste als IGBT-Lösungen auf. SiC-MOSFETs können schneller geschaltet werden, was zu einer Verringerung der Größe der passiven Komponenten, insbesondere der Induktivitäten, beiträgt. Andererseits erfordert das vollständige SiC-System ein völlig neues Systemdesign, was die Kosten erhöht. Die neue Familie von 1200-V-SiC-MOSFETs (M3S) ist für den Betrieb bei hohen Temperaturen optimiert und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen R_DS(ON) von minimal 22 mΩ bei einer Treiberspannung von 18 V aus.

onsemi bietet IGBT- oder SiC-Module mit verschiedenen Topologien an, darunter Halbbrücken oder sogar ganze dreistufige ANPC-Wechselrichter in einem Gehäuse. Der Einsatz von Leistungsmodulen bringt viele Vorteile mit sich, darunter verbesserte thermische Eigenschaften, eine Verringerung der Systemgröße und eine kürzere Markteinführungszeit. Diese Module unterstützten Leistungen von zehn bis hunderten von Kilowatt.