600-V- und 650-V-Superjunction-MOSFETs

Die Superjunction-MOSFETs von PANJIT wurden für eine einfache und effiziente Entwicklung von Leistungswandlungsschaltkreisen in Komponenten wie AC/DC- und DC/DC-Wandlern optimiert. Die Superjunction-MOSFETs der ersten Generation von PANJIT erfordern weniger Entwicklungsaufwand seitens der Systementwicklungsingenieure, da sie eine angemessene Schaltleistung und einen niedrigen R_DS(ON) bieten, was zu einer kleineren Systemgröße mit geringerem Wärmeableitbedarf führt. Die Robustheit der Superjunction-MOSFETs ist auch ein Schlüsselfaktor für die richtige Auslegung von Systemen und die Erreichung einer höheren Zuverlässigkeit.

Der Superjunction-MOSFET von PANJIT bietet höchste dI/dt-Robustheit aufgrund seiner Substratdiode. Die durch die Substratdiode bedingte hohe Robustheit kann die Zuverlässigkeit von Systemen wie etwa LLC- und Phasenschieber-Vollbrückenwandlern erhöhen. Außerdem reduziert sie Konstruktionskomplikationen zur Vermeidung von Substratdiodenausfällen, weswegen sich der Konstrukteur dank der hervorragenden Robustheit auf die Systemleistung konzentrieren kann. Ein äußerst stabiles Schaltverhalten ist eines der wichtigsten Merkmale des Superjunction-MOSFET von PANJIT. Der Superjunction-MOSFET von PANJIT erleichtert die Entwicklung durch geringere Spannungsspitzen und Oszillationen zur Senkung den Platinenlayoutaufwands, was so ein flexibleres Systemdesign mit geringeren elektromagnetischen Interferenzen bei angemessener Systemleistung ermöglicht. Konstrukteure oder Forschungs- und Entwicklungsingenieure können mit den Superjunction-MOSFETs von PANJIT die Systemleistung bei hoher Zuverlässigkeit des gesamten Systems maximieren und so die Lebensdauer verlängern.