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Isolierte DC/DC-Wandler für IGBT, SiC und GaN

DC/DC-Wandler für Anwendungen, die eine hohe Isolierung von bis zu 10 kVDC erfordern.

Die Wandler von RECOM für IGBT-Anwendungen verfügen als einteilige Lösung über asymmetrische Ausgänge von +15 V und -9 V. Wandler mit Ausgängen mit +20 V und -5 V werden für SiC MOSFETs eingesetzt, während für die zweite Generation von SiC MOSFETs Wandler mit Ausgängen mit +15 V und -3 V entwickelt wurden. Für GaN-Bausteine bietet RECOM auch Varianten mit +6 V und +9 V an, die für die GaN-HEMT-Technologie benötigt werden. Sämtliche Wandler für Gate-Treiber von RECOM weisen eine hohe Isolierung (bis zu 6,4 kV) auf, die den durch die hohe Schaltfrequenz auftretenden Belastungen widerstehen kann, und werden in kompakten Gehäusen geliefert

IGBT
SiC
GaN
Referenzdesign

Hoch isolierte DC/DC-Wandler zur Verlängerung der Lebensdauer von IGBT-Treibern

IGBT-Controller werden typischerweise für Wechselrichter verwendet. Häufig dienen Optokoppler als Isolierung für das Steuersignal, aber es wird auch eine Isolierung auf der Leistungsseite für die hohen Schwebespannungen benötigt. Ein RECOM-Wandler bietet eine einfache Möglichkeit, die Isolierungsanforderungen zu erfüllen und die geeignete Gate-Spannung für IGBT-Anwendungen bereitzustellen.

Merkmale

Asymmetrische Ausgänge +15 V/-9 V
Wirkungsgrad von bis zu 86 %
Hohe Isolierung von bis zu 6,4 kVDC/1 s
Betriebstemperaturbereich bis 90 °C
EN-zertifiziert
3 Jahre Garantie

Anwendungen

Frequenzumrichter (VFD)
IGBT-Gate-Treiberschaltungen
Motorsteuerungen
Universalwechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen
Schweißgeräte

Modell	Versorgung	V_IN	V_OUT	Isolierung	Zert.	Gehäuse
RH-xx1509D	1 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	3 kV DC oder 4 kV DC	EN	SIP7
RP-xx1509D	1 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	5,2 kV DC	EN	SIP7
RxxP1509D	1 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	6,4 kV DC	EN	SIP7
RKZ-xx1509D	2 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	3 kV DC oder 4 kV DC	EN	SIP7
RGZ-xx1509D	2 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	3 kV DC oder 4 kV DC	EN	DIP14
RxxP21509D	2 W	5, 12, 24	+15 V/-9 V	6,4 kV DC	EN	SIP7

Hoch isolierte DC/DC-Wandler mit asymmetrischem Ausgang für SiC-MOSFETs

Um die anspruchsvollen Anforderungen von MOSFETs zu erfüllen, hat RECOM Serien von DC/DC-Wandlern für SiC-MOSFETs entwickelt, die mit einer Isolierung von 3 kV DC, 4 kV DC, 5,2 kV DC und sogar 6,4 kV DC geliefert werden, um sicherzustellen, dass die Isolierungsbarriere auch den anspruchsvollsten Tests standhält. Die verschiedenen Serien sind mit Eingangsspannungen von 5 V, 12 V, 15 V und 24 V lieferbar und verfügen über asymmetrische Ausgänge mit +20 V und -5 V, sodass SiC MOSFETs effektiv und effizient geschaltet werden können.

Merkmale

Stromverteilung
Asymmetrische Ausgänge +20/-05 VDC oder +15/-03 VDC
Wirkungsgrad bis zu 87 %
Hohe Isolierung von bis zu 6,4 kV DC/1 s
Optionaler Kurzschluss-Dauerschutz
Großer Betriebstemperaturbereich von -40 bis +90 °C
UL60950-zertifiziert, IEC/EN60950-zertifiziert
3 Jahre Garantie

Anwendungen

DC/AC-Wechselrichter
Erneuerbare Energien
Smart Grids (intelligente Stromnetze)
Motorantriebe

Modell	Versorgung	V_IN	V_OUT	Isolierung	Zert.	Gehäuse
RxxP21503D	2 W	15, 12, 24	+15/-03 V DC	5,2 kV DC	Zertifiziert gemäß EN-60950-1	SIP7
RKZ-xx2005D	2 W	5, 12, 15, 24	+20/-05 VDC	3 kV DC oder 4 kV DC	Zertifiziert gemäß UL60950-1 CSA C22.2 Nr. 60950-1-07 IEC/EN60950-1-zertifiziert EN55022	SIP7
RxxP22005D	2 W	5, 12, 15, 24	+20/-05 VDC	5,2 kV DC	Zertifiziert gemäß UL60950-1 CSA C22.2 Nr. 60950-1-03 IEC/EN60950-1-zertifiziert EN55022	SIP7

DC/DC-Netzteile für schnellschaltende GaN-Treiber

Die Serien RP-xx06S und RxxP06S werden in einem SIP-Gehäuse geliefert und verfügen über eine Ausgangsspannung von +6 V. Der interne Schalenkern-Transformator verfügt über eine Isolierung von bis zu 6,4 kV DC, damit die Isolierungsbarriere auch bei widrigsten Betriebsbedingungen standhält.Diese Wandler sind auch mit Eingangsspannungen von 5 V, 12 V, 15 V und 24 V verfügbar. Dabei haben einige Modelle einen +9 V-Ausgang, der mittels einer Zener-Diodenschaltung in +6 V und -3 V aufgeteilt werden kann, um auch eine negative Schalt-Gate-Spannung bereitzustellen. Diese Wandler verfügen auch über eine niedrige Isolierungskapazität (<10 pF) und sind IEC/EN-60950-1-zertifiziert.

Merkmale

6 V-Ausgang für GaN-Treiber-Anwendungen
Bis zu 6,4 kV DC/s Isolierung in kompaktem Format
Geringe Isolierungskapazität (max. 10 pF)
Zertifiziert gemäß UL/IEC/EN62368-1 und IEC/EN60950-1 (RxxP06S)
Zertifiziert gemäß UL/IEC60950 und IEC/EN60601-1 (RP-xx06S)

Anwendungen

DC/AC-Wechselrichter
Erneuerbare Energien
Smart Grids (intelligente Stromnetze)
Motorantriebe

	Modell	Versorgung	V_IN	V_OUT	Isolierung	Zert.	Gehäuse
	RP-xx06S	1 W	5, 12, 15, 24	6	5,2 kV (5200 V)	UL/IEC60950-zertifiziert	SIP7
	RxxP06S	1 W	5, 12, 15, 24	6	6,4 kV (6400 V)	UL/IEC62368-zertifiziert	SIP7

Isolierte DC/DC-Wandler für IGBT / SiC / GaN

Der R-REF01-HB kann verwendet werden, um Vorwärts-, Rückkopplungs-, Buck- und Boost-Topologien zu evaluieren. Das Referenzdesign besteht aus einem Halbbrücken-Layout mit einer voll isolierten Treiberstufe und isolierten Spannungsversorgungen für die Low- und High-Side-Schalttransistoren. Die Plattform R-REF01-HB kann verwendet werden, um die reale Performance verschiedener Hochleistungs-IGBT-, SiC- der 1./2. Generation, GaN-, MOSFET- und Cascode-Schalttechnologien zu vergleichen.

Merkmale

Sehr schnelles Schalten bis 1000 V bei bis zu 10 A Gate-Ansteuerstrom
Halbbrückenspannung von bis zu 1 kV
TTL-kompatibler Signaleingang
Separater Eingang für Low- und High-Side-Schalter zur Nutzung mit verschiedenen Topologien

Anwendungen