Caratteristiche salienti dei prodotti > Convertitori c.c./c.c. ad alto isolamento

Convertitori c.c./c.c. isolati per IGBT, SiC e GaN

Convertitori c.c./c.c. per applicazioni che richiedono un isolamento elevato, fino a 10 kV c.c.

I convertitori di RECOM per applicazioni IGBT offrono uscite asimmetriche di +15 V e -9 V come soluzione a componente unico. I convertitori con uscite +20 V e -5 V sono usati per MOSFET SiC; per la seconda generazione sono stati sviluppati i convertitori con uscite +15 V e -3 V. Per dispositivi GaN, RECOM offre anche le opzioni +6 V e +9 V richieste dalla tecnologia GaN HEMT. Tutti i convertitori di RECOM per gate driver offrono isolamento elevato (fino a 6,4 kV) in contenitori compatti, in grado di far fronte alla sollecitazione imposta dall'alta frequenza di commutazione.

IGBT
SiC
GaN
Progetto di riferimento

Convertitori c.c./c.c. ad alto isolamento per l'estensione della durata dei driver IGBT

I controller IGBT sono utilizzati comunemente in applicazioni di inverter. Spesso, gli optoaccoppiatori fungono da isolatori per i segnali di controllo, ma è richiesto anche un isolamento sul lato dell'alimentazione per alte tensioni flottanti. Un convertitore RECOM è un modo semplice per soddisfare i requisiti di alto isolamento e fornire la giusta tensione di gate per un'applicazione IGBT.

Caratteristiche

Uscite asimmetriche a +15/-9 V
Efficienza fino all'86%
Isolamento elevato, fino a 6,4 kV c.c./1 sec
Intervallo di temperatura di funzionamento fino a 90 °C
Certificazione EN
3 anni di garanzia

Applicazioni

Comando a frequenza variabile (VFD)
Circuiti gate driver IGBT
Unità per il controllo di motori
Inverter per uso generale
Gruppi di continuità
Saldatrici

Modello	Alimentazione	V_IN	V_OUT	Isolamento	Cert.	Custodia
RH-xx1509D	1 W	5, 12, 24	+15/-9 V	3 kV c.c. o 4 kV c.c.	IT	SIP7
RP-xx1509D	1 W	5, 12, 24	+15/-9 V	5,2 kV c.c.	IT	SIP7
RxxP1509D	1 W	5, 12, 24	+15/-9 V	6,4 kV c.c.	IT	SIP7
RKZ-xx1509D	2 W	5, 12, 24	+15/-9 V	3 kV c.c. o 4 kV c.c.	IT	SIP7
RGZ-xx1509D	2 W	5, 12, 24	+15/-9 V	3 kV c.c. o 4 kV c.c.	IT	DIP14
RxxP21509D	2 W	5, 12, 24	+15/-9 V	6,4 kV c.c.	IT	SIP7

Convertitori c.c./c.c. ad alto isolamento con uscita asimmetrica per MOSFET SiC

Per far fronte agli impegnativi requisiti dei MOSFET, RECOM ha sviluppato le serie di convertitori c.c./c.c. per MOSFET SiC con isolamento a 3, 4, 5,2 e anche 6,4 kV c.c. per assicurare che la barriera di isolamento sia in grado di resistere anche ai test più rigorosi. Le serie sono disponibili con tensioni di ingresso di 5 V, 12 V, 15 V o 24 V e garantiscono uscite asimmetriche di +20 V e -5 V per commutare in modo efficiente ed efficace il MOSFET SiC.

Caratteristiche

Condivisione di corrente
Uscite asimmetriche di +20/-05 V c.c. o +15/-03 V c.c.
Efficienza fino all'87%
Isolamento elevato, fino a 6,4 kV c.c./1 sec
Protezione continua opzionale da cortocircuiti
Ampio intervallo della temperatura di funzionamento: -40 ~ +90 °C
Certificato UL60950, certificato IEC/EN60950
3 anni di garanzia

Applicazioni

Inverter c.c./c.a.
Energia rinnovabile
Smart grid
Comandi di motori

Modello	Alimentazione	V_IN	V_OUT	Isolamento	Cert.	Custodia
RxxP21503D	2 W	15, 12, 24	+15/-03 V c.c.	5,2 kV c.c.	Certificato EN-60950-1	SIP7
RKZ-xx2005D	2 W	5, 12, 15, 24	+20/-05 V c.c.	3 kV c.c. o 4 kV c.c.	Certificato UL60950-1 CSA C22.2 n. 60950-1-07 Certificato IEC/EN60950-1 EN55022	SIP7
RxxP22005D	2 W	5, 12, 15, 24	+20/-05 V c.c.	5,2 kV c.c.	Certificato UL60950-1 CSA C22.2 n. 60950-1-03 Certificato IEC/EN60950-1 EN55022	SIP7

Alimentatori c.c./c.c. progettati per la commutazione veloce di driver GaN

Le serie RP-xx06S e RxxP06S hanno un contenitore SIP& e offrono una tensione di uscita di +6 V. Il trasformatore interno con nucleo a olla fornisce un isolamento fino a 6,4 kV c.c. per garantire che la barriera di isolamento resista anche alle condizioni operative più difficili.Questi convertitori sono disponibili con tensioni di ingresso di 5 V, 12 V, 15 V o 24 V. Alcuni modelli hanno un'uscita di +9 V, che può essere divisa tramite un circuito a diodo Zener fino a +6 V e -3 V per fornire anche una tensione di gate di commutazione negativa. Questi convertitori hanno anche una bassa capacità di isolamento (<10 pF) e sono certificati IEC/EN-60950-1.

Caratteristiche

Uscita a 6 V per applicazioni di driver GaN
Fino a 6,4 kV c.c./secondo di isolamento in un formato compatto
Bassa capacità di isolamento (10 pF max)
Certificazione UL/IEC/EN62368-1, IEC/EN60950-1 (RxxP06S)
Certificazione UL/IEC60950, IEC/EN60601-1 (RP-xx06S)

Applicazioni

Inverter c.c./c.a.
Energia rinnovabile
Smart grid
Comandi di motori

	Modello	Alimentazione	V_IN	V_OUT	Isolamento	Cert.	Custodia
	RP-xx06S	1 W	5, 12, 15, 24	6	5,2 kV (5200 V)	Certificato UL/IEC 60950	SIP7
	RxxP06S	1 W	5, 12, 15, 24	6	6,4 kV (6400 V)	Certificato UL/IEC 62368	SIP7

Convertitori c.c./c.c. isolati per IGBT / SiC / GaN

R-REF01-HB può essere utilizzato per valutare le topologie di tipo diretto, flyback, buck e boost. Il progetto di riferimento è costituito da un layout a semiponte con uno stadio di circuito di pilotaggio completamente isolato con alimentatori isolati per entrambi i tipi di transistor a commutazione high-side e low-side. La piattaforma R-REF01-HB può essere utilizzata per confrontare le prestazioni reali di varie tecnologie di commutazione Cascode, MOSFET, GaN, SiC di 1a/2a generazione e IGBT ad alta potenza.

Caratteristiche

Commutazione ad alta velocità fino a 1000 V a una corrente di comando del gate massima di 10 A
Tensione semiponte fino a 1 kV
Ingresso di segnale compatibile TTL
Ingresso separato per commutatore high-side e low-side per l'uso con diverse topologie

Applicazioni