STMicroelectronics

650-V-IGBT der Serie HB2

Schneller Trench-Gate-Field-Stop-IGBT der Serie HB2 von STMicro mit 650 V und 40 A in TO-247-Gehäuse mit langen Anschlüssen

Abbildung: 650-V-IGBT der Serie HB2 von STMicroelectronicsDie 650-V-IGBT der Serie HB2 von STMicroelectronics stellen eine Weiterentwicklung der fortschrittlichen, proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur dar. Die Leistung der Serie HB2 ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten hinsichtlich der Durchleitung sowie im Hinblick auf eine reduzierte Schaltenergie optimiert. Eine Diode, die nur zu Schutzzwecken dient, ist antiparallel zum IGBT mit im Gehäuse untergebracht. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell darauf ausgelegt ist, die Effizienz für verschiedenste hochfrequente Anwendungen zu maximieren.

Merkmale
  • Maximale Sperrschichttemperatur: Tj = 175 °C
  • Niedrige VCE(sat) = 1,55 V (typ.) bei IC = 40 A
  • Mit im Gehäuse untergebrachte Schutzdiode
  • Minimierter Deaktivierungsstrom
  • Enge Parameterverteilung
  • Niedriger Wärmewiderstand
  • Positiver VCE(on)-Temperaturkoeffizient

HB2 Series 650 V IGBT

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247STGWA40HP65FB2IGBT TRENCH FS 650V 72A TO24736 - Sofort$4.05Details anzeigen
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HVSCTL35N65G2VTRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV5854 - Sofort$12.82Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-05-09

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Datum der Veröffentlichung: 2020-06-10

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