STMicroelectronics

STPOWER-SiC-MOSFET

Hochmoderne MOSFET-Gehäuse von STMicroelectronics sind speziell für Automobil- und Industrieanwendungen konzipiert

Abbildung: STPOWER-SiC-MOSFET von STMicroelectronics (zum Vergrößern anklicken)Die STPOWER-SiC-MOSFET von STMicroelectronics bieten die fortschrittliche Effizienz und Zuverlässigkeit von Materialien mit breiter Bandlücke für ein breiteres Spektrum energiebewusster Anwendungen wie Wechselrichter für Elektro-/Hybridfahrzeuge, Solar- oder Windenergieerzeugung, hocheffiziente Antriebe, Stromversorgungen und Smart-Grid-Geräte. Mit einem erweiterten Spannungsbereich von 650 V bis 1700 V bieten diese MOSFET eine hervorragende Schaltleistung in Kombination mit einem sehr niedrigen flächenbezogenen Betriebswiderstand (RDS(ON)). Die SiC-MOSFET von ST ermöglichen die Entwicklung effizienterer und kompakterer Systeme als je zuvor. Die 1200-V-SiC-MOSFET von ST zeichnen sich durch eine herausragende Temperaturbeständigkeit von bis zu +200 °C aus und ermöglichen ein verbessertes thermisches Design in der Leistungselektronik. Im Vergleich zu Silizium-MOSFET weisen SiC-MOSFET außerdem deutlich geringere Schaltverluste bei minimalen Temperaturschwankungen auf.

Hauptmerkmale

  • Kfz-zugelassene Komponenten
  • Sehr hohe Temperaturbelastbarkeit (max. TJ = +200 °C)
  • Äußerst geringe Schaltverluste (minimale Temperaturschwankungen) ermöglichen Betrieb bei sehr hoher Schaltfrequenz
  • Niedriger Einschaltwiderstand über Temperatur
  • Einfach anzusteuern
  • Geschützt durch sehr schnelle und robuste Substratdiode

Gen 3

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65084 - Sofort$6.85Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE29 - Sofort$10.49Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT025H120G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE1000 - Sofort$13.73Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE510 - Sofort$11.23Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE436 - Sofort$11.18Details anzeigen

Gen 2

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreis
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247396 - Sofort$13.76Details anzeigen
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120231 - Sofort$14.14Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247491 - Sofort$22.67Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7SCTH90N65G2V-7SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-732 - Sofort$21.91Details anzeigen
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247428 - Sofort$26.04Details anzeigen

Gen 1

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-20 - Sofort$7.41Details anzeigen
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINE205 - Sofort$7.10Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120SICFET N-CH 1200V 12A HIP247125 - Sofort$7.19Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247295 - Sofort$21.94Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP247527 - Sofort$7.36Details anzeigen
Aktualisiert: 2024-11-22
Veröffentlicht: 2015-02-19

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