STMicroelectronics

Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics bietet seine Leistungs-MOSFETs zur Spannungsbereichsunterstützung

Abbildung: Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronicsDas Leistungs-MOSFET-Portfolio von STMicroelectronics bietet eine breite Palette von Durchbruchspannungen von -500 V bis 1500 V sowie eine niedrige Gate-Ladung und einen geringen Einschalt-Widerstand in Kombination mit modernster Gehäusetechnik. Die Prozesstechnologie von ST für Hochspannungs- (MDmesh™) und Niederspannungs-MOSFETs (StripFET™) hat die Leistungshandhabungsfähigkeit verbessert und zu hocheffizienten Lösungen geführt.

Zu den wichtigsten Merkmalen des breiten Portfolios gehören:
  • Durchbruchspannungsbereich von -500 V bis 1500 V
  • Mehr als 30 Gehäuseoptionen, einschließlich des 4-poligen TO247-4 mit einem dedizierten Steuerpin für erhöhte Schalteffizienz, das H2PAK für hohe Strombelastbarkeit und das 1 mm hohe oberflächenmontierbare PowerFLAT™ 5 x 6 HV und VHV mit hervorragender thermischer Performance durch ein großes, freiliegendes Metall-Ableitpad
  • Verbesserte Gate-Ladung und geringere Verlustleistung, um die heutigen schwierigen Effizienzanforderungen zu erfüllen
  • Eigene schnelle Körperdiode optional für ausgewählte Produktlinien
  • Breites Portfolio von Kfz-zugelassenen MOSFETs
 Abbildung: Liste der Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics

In jedem Spannungsbereich und für alle unterstützenden Anwendungen wie Schaltnetzteile, Beleuchtung, DC/DC-Wandler, Motorsteuerung und Automobiltechnik hat ST den richtigen MOSFET für Ihr Design.

Alle Leistungs-MOSFETs von STMicroelectronics anzeigen

Veröffentlicht: 2016-12-30

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