SiC-Gleichrichter

Das Schalten von Schottky-Dioden mit Siliziumkarbid-Struktur von STMicroelectronics ermöglicht es Entwicklern, einen höheren Wirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte zu erreichen. Die 650-V- und 1200-V-SiC-Diodenfamilien von ST, die Nennströme von 2 A bis 40 A abdecken, umfassen sowohl industrietaugliche als auch für die Automobilindustrie gemäß AEC-Q101 zugelassene Komponenten in oberflächenmontierbaren DPAK-HV- (Hochspannung) und D²PAK- oder TO-220AC- und TO-247LL-Gehäusen für die Durchsteckmontage.

Das Sortiment an 1200-V-Siliziumkarbid-(SiC)-JBS-Dioden (Junction Barrier Schottky) von ST erfüllt die Anforderungen der Entwickler nach überlegener Effizienz, geringem Gewicht, geringer Größe und verbesserten thermischen Eigenschaften für leistungsorientierte Anwendungen.

Die 1200-V-SiC-Dioden von ST bieten eine ausgezeichnete Durchlassspannung (niedrige V_F) und modernste Robustheit. Sie bieten zusätzlichen Spielraum, um hohe Effizienz und Zuverlässigkeit mit einem niedrigeren Nennstrom und damit geringeren Kosten zu erreichen, während gleichzeitig die Betriebstemperatur gesenkt und die Lebensdauer der Anwendung verlängert wird. Sie gewährleisten eine perfekte Anpassung an jeden Schaltnetzteilwandler und Wechselrichter, wo extreme Leistungsdichte und Effizienz erforderlich sind, wie z.B. SMPS, UPS, Solar- und Motorantriebe.

Die 1200-V-SiC-Dioden-Familie von ST deckt einen Strombereich von 2 A bis 40 A ab und umfasst sowohl industrietaugliche als auch für die Automobilindustrie gemäß AEC-Q101 zugelassene Komponenten in oberflächenmontierbaren DPAK-HV- (Hochspannung) und D²PAK- oder TO-220AC- und TO-247LL-Gehäusen für die Durchsteckmontage.

Mit der 1200-V-SiC-Komponente von ST können hohe Standards und ein kleiner Formfaktor erreicht werden.