SiC-MOSFET TW070J120B

Der Siliziumkarbid-MOSFET TW070J120B von Toshiba verfügt über einen geringen (70 mΩ) R_DS(ON) in einem TO-3P(N)-Gehäuse.

Leistungsgeräte sind wesentliche Komponenten bei der Reduzierung des Stromverbrauchs in industrieller und anderer elektrischer Ausrüstung. SiC wird weithin als Material der nächsten Generation für Leistungskomponenten betrachtet, da es höhere Spannungen und geringere Verluste als Silizium realisiert. Es wird erwartet, dass SiC-Leistungskomponenten in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte eingesetzt werden, einschließlich photovoltaischer Energiesysteme und Energiemanagementsysteme für Industrieanlagen.

Toshiba hat eine Struktur geschaffen, die die Speisung der PN-Diode verhindert, indem sie eine SBD parallel zur PN-Diode in der Zelle positioniert. Strom fließt durch die eingebettete SBD, weil ihre Spannung im eingeschalteten Zustand im Vergleich zu der der PN-Diode niedriger ist, wodurch Änderungen des Einschaltwiderstands und eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit des MOSFETs unterdrückt werden.

MOSFETs mit eingebetteten SBDs sind bereits im praktischen Einsatz, allerdings nur bei hohen Spannungen um 3,3 kV. Normalerweise führen eingebettete SBDs dazu, dass der Einschaltwiderstand auf ein Niveau ansteigt, das nur Hochspannungsprodukte tolerieren können. Toshiba passte verschiedene Komponentenparameter an und stellte fest, dass das Verhältnis der SBD-Fläche in einem MOSFET der Schlüssel zur Unterdrückung des erhöhten Einschaltwiderstands ist. Durch die Optimierung des SBD-Verhältnisses hat Toshiba einen äußerst zuverlässigen SiC-MOSFET der 1,2-kV-Klasse geschaffen.