Transphorm

SuperGaN™-FET TP65H mit 650 V und 35 mΩ bzw. 240 mΩ

JEDEC-zugelassene FET der Gen. IV von Transphorm werden in TO-247- und PQFN-Gehäusen angeboten

Abbildung: SuperGaN™-FET TP65H von Transphorm mit 650 V und 35 mΩ bzw. 240 mΩDie 650-V-SuperGaN™-FET der Gen. IV von Transphorm beinhalten zwei robuste, JEDEC-zugelassene Komponenten. Der TP65H035G4WS bietet einen typischen Betriebswiderstand von 35 mΩ in einem TO-247-Gehäuse. Der TP65H300G4LSG bietet einen typischen Betriebswiderstand von 240 mΩ in einem PQFN88-Gehäuse. Stromversorgungssysteme mit SuperGaN-FET können einen Wirkungsgrad von über 99 % erreichen, wenn sie mit brückenloser Totem-Pol-Leistungsfaktorkorrektur eingesetzt werden. Zu den Vorteilen gehören ein um ca. 10 % gesteigerter Gütefaktor, eine höhere Einschaltstrombelastbarkeit und eine einfachere Integration in Designs, da bei hohen Betriebsströmen keine Schaltknoten-Dämpfer mehr erforderlich sind.

TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungStrom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°CRds(On) (Max.) bei Id, VgsVgs(th) (max.) bei IdVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-346,5 A (Tc)41 mOhm bei 30A, 10V4,8V bei 1mA617 - Sofort$15.19Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN6,5 A (Tc)312mOhm bei 5A, 8V2,6V bei 500µA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
Veröffentlicht: 2020-07-28

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