VideoLibrary

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

Learn how Transphorm’s innovative, AEC-Q101 GaN devices revolutionize electric vehicle systems

7/21/2023 3:48:29 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-30 - Sofort$17.66Details anzeigen
650 V 95 A GAN FETTP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET459 - Sofort$25.80Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFNTP65H300G4LSG-TRGANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 25 A GAN FETTP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET609 - Sofort$11.56Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN8811167 - Sofort$11.56Details anzeigen
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PSGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET158 - Sofort$12.78Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3TP65H050WSGANFET N-CH 650V 34A TO247-3450 - Sofort$15.01Details anzeigen
650 V 46.5 GAN FETTP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET28 - Sofort$16.10Details anzeigen
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3TP90H050WSGANFET N-CH 900V 34A TO247-30 - Sofort$8.15Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-30 - Sofort$18.58Details anzeigen
GAN FET N-CH 650V TO-220TP65H150G4PSGAN FET N-CH 650V TO-2201801 - Sofort$6.42Details anzeigen
650 V 34 A GAN FETTP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET488 - Sofort$11.50Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFNTP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN1131 - Sofort$3.26Details anzeigen
GAN FET N-CH 650V PQFNTP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN2369 - Sofort$4.05Details anzeigen
650 V 13 A GAN FETTP65H150G4LSG-TR650 V 13 A GAN FET376 - Sofort$4.66Details anzeigen
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFNTPH3208LDGGANFET N-CH 650V 20A 3PQFN9 - Sofort$9.39Details anzeigen
GANFET N-CH 900V 15A TO220ABTP90H180PSGANFET N-CH 900V 15A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
EVAL BOARD FOR TP65H035WSTDTTP4000W066C-KITEVAL BOARD FOR TP65H035WS5 - Sofort$1,180.80Details anzeigen
GANFET N-CH 600V 17A TO220ABTPH3206PDGANFET N-CH 600V 17A TO220AB0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen

Related Videos

Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis
Learn how to use voltage acceleration in GaN reliability testing for accurate performance analysis

Datum der Veröffentlichung: 2023-07-21

Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications
Transphorm GaN is powering disruptive changes across various markets and applications

Datum der Veröffentlichung: 2023-07-21

Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions
Get to know the industry’s leading provider of high voltage GaN power solutions

Datum der Veröffentlichung: 2023-05-17

Related Product Highlight

SuperGaN®-Evaluierungsboards und -kits Die SuperGaN® Evaluierungsboards und -kits von Transphorm bieten eine einfach zu bedienende Plattform für die Erforschung der Vorteile von GaN mit verschiedenen Topologien.
SuperGaN®-35mΩ-GaN-FET TP65H035G4WS DerSuperGaN® FET von Transphorm bietet hohe Zuverlässigkeit, hohen Wirkungsgrad in einer leicht ansteuerbaren JEDEC-zugelassen Komponente.
2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT Das 2,5-kW-Totem-Pole-PFC-GaN-Evaluierungsboard TDTTP2500B066B-KIT (PFC: power factor correction - Leistungsfaktorkorrektur) von Transphorm eignet sich für Anwendungen wie Stromversorgungen in Rechenzentren.

Related Articles and Blogs

Halbleiter mit großer Bandlücke steigern den Wirkungsgrad in Rechenzentren Da Rechenzentren einen enormen Energiebedarf haben, werden Stromversorgungslösungen benötigt, die Leistungsverluste reduzieren, die Effizienz steigern und die thermische Kontrolle verbessern können.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Entwerfen Sie eine effektivere Blindleistungskompensation unter Verwendung von Halbleitern mit großer Bandlücke und digitaler Regelung Verwenden Sie digitale Regelung und Leistungshalbleiter mit großer Bandlücke, um Schaltungen für die Blindleistungskompensation zu entwerfen, die die aktuellen Vorschriften effizient erfüllen.

Related Product Training Modules

GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies Overview of GaN versus Silicon Carbide in DC-DC hard switched synchronous boost converter, including a competitive analysis and PFC customer example.