Siliziumkarbid-Schottky-Dioden für 650 V

Vishay stellt seine 650-V-Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) vor, die sich durch ihre MPS-Bauform (merged PiN Schottky) auszeichnen. Diese Geräte wurden entwickelt, um den Wirkungsgrad von Hochfrequenzanwendungen zu erhöhen, indem die Schaltverluste unabhängig von den Auswirkungen von Temperaturschwankungen reduziert werden, wodurch die Geräte bei höheren Temperaturen betrieben werden können. Das Merged-PiN-Schottky-Design der Bauelemente schirmt das elektrische Feld von der Schottky-Barriere ab, um Leckströme zu reduzieren und gleichzeitig die Stoßstromfähigkeit durch Lochinjektion zu erhöhen. Im Vergleich zu reinen Silizium-Schottky-Bauelementen bewältigen diese Dioden die gleiche Stromstärke bei nur geringfügig höherem Durchlassspannungsabfall und weisen gleichzeitig eine deutlich höhere Robustheit auf, was den Entwicklern eine größere Flexibilität bei der Systemoptimierung bietet. Sie werden in 2L-TO-220AC- und TO-247AD-3L-Gehäusen angeboten.