Vishay / Siliconix

150-V-Gen-V-MOSFETs SiR578DP

MOSFET von Vishay bietet 7,3 mΩ in platzsparendem PowerPAK®-Gehäuse

Abbildung: 150-V-Gen-V-MOSFETs SiR578DP von VishayVishays TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs der 5. Generation bietet eine höhere Leistungsdichte und einen größeren Wirkungsgrad sowohl für isolierte als auch für nicht isolierte Topologien. Die Kombination aus extrem niedrigem Durchlasswiderstand, Hochtemperaturbetrieb bis +175 °C und dem platzsparenden PowerPAK-Gehäuse des Herstellers trägt dazu bei, die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene mit der hauseigenen drahtlosen Bondkonstruktion zu fördern. Die TrenchFET-MOSFETs der 5. Generation bieten einen verbesserten Gütefaktor für eine effizientere Leistungswandlung. Diese Serie ist zu 100 % RG- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.

Merkmale/Funktionen
  • TrenchFET-Gen-IV-Leistungs-MOSFET
  • Hoher Gütefaktor aus extrem niedrigen RDS(ON) x QG
  • Optimiertes QGD/QGS-Verhältnis
  • Hervorragender Wirkungsgrad in Spannungsversorgungen
Anwendungen/Zielmärkte
  • Primärschalter
  • Synchrongleichrichtung in der Stromversorgung von Telekommunikationsanlagen
  • Batteriemanagement
  • Industrie

150 V Gen V SiR578DP MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungFET-TypTechnologieDrain-Source-Spannung (Vdss)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWSIR578DP-T1-RE3N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POWN-KanalMOSFET (Metalloxid)150 V4063 - Sofort$2.11Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-02-01

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