Gen-V-TrenchFET-MOSFETs
Die 80-V-, 100-V- und 150-V-MOSFETs von Vishay zeichnen sich durch einen hohen Gütefaktor (Figure of Merit, FOM) mit äußerst niedrigem RDS und geringer Qg aus
Vishay bietet TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs der 5. Generation mit einer höheren Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowohl für isolierte als auch für nicht isolierte Topologien. Der extrem niedrige Durchlasswiderstand, der Hochtemperaturbetrieb bis zu +175 °C und das platzsparende PowerPAK®-Gehäuse von Vishay tragen dazu bei, die Zuverlässigkeit auf Leiterplattenebene mit drahtloser Bondkonstruktion zu fördern. Diese Serie ist zu 100 % RG- und UIS-geprüft, RoHS-konform und halogenfrei.
- Hoher Gütefaktor (Figure of Merit, FOM) mit äußerst niedrigem RDS und geringer Qg
- FOM optimiert für niedrigsten RDS und geringste QOSS
- Synchrongleichrichtung
- Primärseitige Schalter
- DC/DC-Wandler
- Solar-Mikroinverter
- Schalter für Motorantriebe
- Batterie- und Lastschalter
- Industrielle Motorantriebe
- Batterieladegeräte
Gen V TrenchFET MOSFETs
Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
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![]() | ![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 9540 - Sofort | $2.17 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 6156 - Sofort | $2.10 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4580 - Sofort | $2.86 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 5980 - Sofort | $2.81 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 4063 - Sofort | $2.11 | Details anzeigen |
![]() | ![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 6483 - Sofort | $2.92 | Details anzeigen |