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AOT12N60FDL | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 785-AOT12N60FDL-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | AOT12N60FDL |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 12 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2010 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 278W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 650mOhm bei 6A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP850N80Z | onsemi | 571 | FCP850N80Z-ND | Fr. 2.90000 | Ähnlich |
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4’630 | IRFB9N60APBF-ND | Fr. 2.99000 | Ähnlich |
| IXFP10N60P | IXYS | 0 | IXFP10N60P-ND | Fr. 2.05407 | Ähnlich |
| IXTP10N60P | IXYS | 0 | IXTP10N60P-ND | Fr. 1.97187 | Ähnlich |
| SIHP7N60E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP7N60E-E3-ND | Fr. 0.80977 | Ähnlich |






