Name: DMG6402LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6402LVT-7DITR-ND
Price: 0.36754 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMG6402LVT-7
DigiKey-Teilenr.	DMG6402LVT-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMG6402LVT-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMG6402LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMG6402LVT-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 6 A (Ta) 1,75W (Ta) Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	30mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	498 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,75W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSOT-26
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer	DMG6402