Name: DMN1019USN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019USN-7DITR-ND
Price: 0.52969 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN1019USN-7
DigiKey-Teilenr.	DMN1019USN-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN1019USN-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN1019USN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN1019USN-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 12 V 9,3 A (Ta) 680mW (Ta) Oberflächenmontage SC-59-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN1019USN-7 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 800mV bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50.6 nC @ 8 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2426 pF @ 10 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 680mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,3 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-59-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,2V, 2,5V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 10mOhm bei 9,7A, 4,5V	Basis-Produktnummer DMN1019

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 28’880

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)