Name: DMN10H120SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H120SE-13DITR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN10H120SE-13
DigiKey-Teilenr.	DMN10H120SE-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN10H120SE-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN10H120SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN10H120SE-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 3,6 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage SOT-223-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	110mOhm bei 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	549 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223-3
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	DMN10