Name: DMN2009LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2009LSS-13TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN2009LSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMN2009LSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN2009LSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN2009LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN2009LSS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 12 A (Ta) 2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	58.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2555 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis-Produktnummer	DMN2009