Name: DMN3016LFDE-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3016LFDE-7DITR-ND
Price: 0.4324 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN3016LFDE-7
DigiKey-Teilenr.	DMN3016LFDE-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMN3016LFDE-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMN3016LFDE-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3016LFDE-7
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 10 A (Ta) 730mW (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (Typ E)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	DMN3016LFDE-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	12mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	25.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1415 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	730mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-DFN2020-6 (Typ E)
Gehäuse / Hülle	6-PowerUDFN
Basis-Produktnummer	DMN3016