Name: DMN3732UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.24863 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN3732UFB4Q-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN3732UFB4Q-7BTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMN3732UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3732UFB4Q-7B
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Herst. Diodes Incorporated	Vgs (Max.) ±8V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 40.8 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 490mW (Ta)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,3 A (Ta)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN1006-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 460mOhm bei 200mA, 4,5V	Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
Vgs(th) (max.) bei Id 950mV bei 250µA	Basis-Produktnummer DMN3732

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
DMN3732UFB4-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN3732UFB4-7TR-ND	Fr. 0.00000	Parametrisches Äquivalent
DMN3732UFB4-7B	Diodes Incorporated	0	31-DMN3732UFB4-7BCT-ND	Fr. 0.19000	Parametrisches Äquivalent

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DMN3732UFB4Q-7B