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Diodes Incorporated
Vorrätig: 2’000
Stückpreis : Fr. 0.96000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.31263
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Diodes Incorporated
Vorrätig: 433
Stückpreis : Fr. 1.18000
Datenblatt

Ähnlich


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 29’173
Stückpreis : Fr. 1.02000
Datenblatt
N-Kanal 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
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DMN6013LFG-13

DigiKey-Teilenr.
DMN6013LFG-13-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMN6013LFG-13
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
55.4 nC @ 10 V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2577 pF @ 30 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
POWERDI3333-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13mOhm bei 10A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (4)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated2’000DMN6013LFG-7DICT-NDFr. 0.96000Parametrisches Äquivalent
DMN6013LFGQ-13Diodes Incorporated0DMN6013LFGQ-13-NDFr. 0.31263Parametrisches Äquivalent
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TPH7R006PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage29’173TPH7R006PLL1QCT-NDFr. 1.02000Ähnlich
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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