Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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DMP65H20D0HSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP65H20D0HSS-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 200mA (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	20Ohm bei 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,9W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)