Name: DMP65H9D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND
Price: 1.44854 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMP65H9D0HSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMP65H9D0HSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP65H9D0HSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP65H9D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP65H9D0HSS-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 300mA (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	300mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9Ohm bei 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	740 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,25W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SO
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)