Name: DMT10H072LFV-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H072LFV-13DI-ND
Price: 0.19582 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H072LFV-13
DigiKey-Teilenr.	DMT10H072LFV-13DI-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT10H072LFV-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 4,7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta) Oberflächenmontage PowerDI3333-8 (Typ UX)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,7A (Ta), 20A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	62mOhm bei 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	228 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI3333-8 (Typ UX)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMT10