Name: DMT12H007LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H007LPS-13TR-ND
Price: 1.5134 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT12H007LPS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT12H007LPS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT12H007LPS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT12H007LPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT12H007LPS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 90 A (Tc) 2,9W Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,8mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3224 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,9W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMT12