Name: DMT6012LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT6012LSS-13TR-ND
Price: 0.69184 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMT6012LSS-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMT6012LSS-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMT6012LSS-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMT6012LSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMT6012LSS-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 10,4 A (Ta) 1,2W (Ta) Oberflächenmontage 8-SO
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 22.2 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1522 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 1,2W (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10,4 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer DMT6012

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 8’327

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)