Name: DMTH10H032SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH10H032SPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H032SPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 25 A (Tc) 3,2W (Ta), 38W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	544 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Typ UX)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMTH10