Name: DMTH10H4M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 2.50792 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH10H4M5LPSWQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH10H4M5LPSWQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Oberflächenmontage, benetzbare Flanke PowerDI5060-8 (Typ UX)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20A (Ta), 107A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,9mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4843 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,7W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8 (Typ UX)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMTH10