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DMTH6016LFDFW-13
Diodes Incorporated
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Parametrisches Äquivalent

DMTH6016LFDFW-7
Diodes Incorporated
Vorrätig: 2’538
Stückpreis : Fr. 0.88000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.26357

Parametrisches Äquivalent

DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
Vorrätig: 1’022
Stückpreis : Fr. 1.04000
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N-Kanal 60 V 9,4 A (Ta) 1,06W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
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DMTH6016LFDFWQ-13

DigiKey-Teilenr.
DMTH6016LFDFWQ-13-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer
DMTH6016LFDFWQ-13
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 9,4 A (Ta) 1,06W (Ta) Oberflächenmontage U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
EDA/CAD-Modelle
DMTH6016LFDFWQ-13 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,4 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
18mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
925 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1,06W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)
Gehäuse / Hülle
6-UDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer
DMTH6016
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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30’000Fr. 0.21094Fr. 6’328.20
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