Name: DMTH8008LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND
Price: 1.50259 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH8008LFGQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMTH8008LFGQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMTH8008LFGQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMTH8008LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH8008LFGQ-13
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 17 A (Ta), 70 A (Tc) 1,2W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17 A (Ta), 70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,9mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2254 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,2W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	POWERDI3333-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN