Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 0.84318 CHF
Availability: InStock

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DMTH8012LPSQ-13
DigiKey-Teilenr.	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Gurtabschnitt (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH8012LPSQ-13
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 10 A (Ta), 72 A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Oberflächenmontage PowerDI5060-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta), 72 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	17mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2051 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,6W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerDI5060-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	DMTH8012