N-Kanal 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
TO-247-4L

DMWS120H100SM4

DigiKey-Teilenr.
31-DMWS120H100SM4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
DMWS120H100SM4
Beschreibung
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 37,2 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52 nC @ 15 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+19V, -8V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1516 pF @ 1000 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 20A, 15V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 17.37000Fr. 17.37
30Fr. 10.95500Fr. 328.65
120Fr. 9.55175Fr. 1’146.21
510Fr. 9.27702Fr. 4’731.28
Standardverpackung des Herstellers
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