DMN100-7-F Diodes Incorporated | Einzelne FETs, MOSFETs

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMN100-7-F
DigiKey-Teilenr.	DMN100-FDITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN100-7-F
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 1,1 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SC-59-3

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 1mA
Herst. Diodes Incorporated	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5.5 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 150 pF @ 10 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,1 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten SC-59-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 240mOhm bei 1A, 10V	Basis-Produktnummer DMN100