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N-Kanal 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Durchkontaktierung E-Line (TO-92-kompatibel)
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VN10LPSTZ

DigiKey-Teilenr.
VN10LPSTZ-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer
VN10LPSTZ
Beschreibung
MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Durchkontaktierung E-Line (TO-92-kompatibel)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diodes Incorporated
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
270mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
60 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
625mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
E-Line (TO-92-kompatibel)
Gehäuse / Hülle
E-Line-3, geformte Anschlüsse
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe
Menge
Alle Preise in CHF
Band & Box (TB)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
2’000Fr. 0.25778Fr. 515.56
4’000Fr. 0.23764Fr. 950.56
6’000Fr. 0.22738Fr. 1’364.28
10’000Fr. 0.21792Fr. 2’179.20
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 0.25778
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 0.27866