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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
G2R1000MT33J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1242-G2R1000MT33J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G2R1000MT33J |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 3300 V 4 A (Tc) 74W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | G2R1000MT33J Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 3300 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,2Ohm bei 2A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3,5V bei 2mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 238 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 74W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 14.95000 | Fr. 14.95 |
| 10 | Fr. 13.52000 | Fr. 135.20 |
| 25 | Fr. 12.98400 | Fr. 324.60 |
| 100 | Fr. 12.21610 | Fr. 1’221.61 |
| 250 | Fr. 11.73604 | Fr. 2’934.01 |
| 500 | Fr. 11.38404 | Fr. 5’692.02 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 14.95000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 16.16095 |
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