TO-263-8
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-8
TO-263-7

G2R120MT33J

DigiKey-Teilenr.
1242-G2R120MT33J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G2R120MT33J
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 3300 V 35A Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
G2R120MT33J Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
3300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 20A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
145 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3706 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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