


G2R120MT33J | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1242-G2R120MT33J-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G2R120MT33J |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 3300 V 35A Oberflächenmontage TO-263-7 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | G2R120MT33J Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 3300 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 156mOhm bei 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +25V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | - | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263-7 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 250 | Fr. 73.55300 | Fr. 18’388.25 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 73.55300 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 79.51079 |




