Name: G3R12MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R12MT12K-ND
Price: 53.62841 CHF
Availability: InStock

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G3R12MT12K
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R12MT12K-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R12MT12K
Beschreibung	1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	157A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 100A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 50mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	288 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	9335 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	567W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	G3R12M

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10	Fr. 46.19200	Fr. 461.92
25	Fr. 44.89600	Fr. 1’122.40
100	Fr. 43.00820	Fr. 4’300.82

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