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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IMZC120R012M2HXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IMZC120R012M2HXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IMZC120R012M2HXKSA1 |
Beschreibung | SICFET N-CH 1200V 129A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 129 A (Tc) 480W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IMZC120R012M2HXKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 12mOhm bei 57A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,1V bei 17,8mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 124 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +23V, -7V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 4050 pF @ 800 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 480W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO247-4-17 | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 1’003
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 18.82000 | Fr. 18.82 |
| 30 | Fr. 12.02533 | Fr. 360.76 |
| 120 | Fr. 11.54983 | Fr. 1’385.98 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 18.82000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 20.34442 |
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