Name: G3R160MT17D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R160MT17D-ND
Price: 10.58299 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R160MT17D
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R160MT17D-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R160MT17D
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 21 A (Tc) 175W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	208mOhm bei 12A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	51 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1272 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	175W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	G3R160

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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10	Fr. 8.85600	Fr. 88.56
25	Fr. 8.50400	Fr. 212.60
100	Fr. 8.00800	Fr. 800.80
250	Fr. 7.69604	Fr. 1’924.01
500	Fr. 7.46400	Fr. 3’732.00
1’000	Fr. 7.24002	Fr. 7’240.02

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