Name: IMWH170R450M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMWH170R450M1XKSA1-ND
Price: 6.19413 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMWH170R450M1XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMWH170R450M1XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMWH170R450M1XKSA1
Beschreibung	IMWH170R450M1XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 10A (Tj) 111W (Tc) Durchkontaktierung PG-247-3-U04
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMWH170R450M1XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	12V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	390mOhm bei 2A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,7V bei 2,6mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.7 nC @ 12 V
Vgs (Max.)	15V, 12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	506 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	111W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-247-3-U04
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	Fr. 3.65833	Fr. 109.75
120	Fr. 3.26650	Fr. 391.98
510	Fr. 3.09133	Fr. 1’576.58

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