Name: G3R20MT12N
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R20MT12N-ND
Price: 48.60176 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R20MT12N
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R20MT12N-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R20MT12N
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 105 A (Tc) 365W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	105 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	24mOhm bei 60A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	219 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+20V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5873 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	365W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	G3R20

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10	Fr. 41.43200	Fr. 414.32
25	Fr. 40.10440	Fr. 1’002.61
100	Fr. 38.17620	Fr. 3’817.62

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