Name: G3R20MT17N
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R20MT17N-ND
Price: 117.14797 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R20MT17N
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R20MT17N-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R20MT17N
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 100 A (Tc) 523W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26mOhm bei 75A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,7V bei 15mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	400 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10187 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	523W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	G3R20

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10	Fr. 101.08100	Fr. 1’010.81
25	Fr. 98.32040	Fr. 2’458.01

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