Name: IPB95R130PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND
Price: 6.19413 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPB95R130PFD7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPB95R130PFD7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPB95R130PFD7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPB95R130PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPB95R130PFD7ATMA1
Beschreibung	HIGH POWER_NEW
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 950 V 36,5 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	950 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	36,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	130mOhm bei 25,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,25mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4170 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	227W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-3-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB