BSM50GP120BOSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

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BSM50GP120BOSA1
DigiKey-Teilenr.	BSM50GP120BOSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	BSM50GP120BOSA1
Beschreibung	IGBT MODULE 1200V 80A MODULE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Modul 3-phasiger Wechselrichter 1200 V 80 A Chassisbefestigung Modul
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs IGBT-Module
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	-
Konfiguration	3-phasiger Wechselrichter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,55V bei 15V, 50A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce	3.3 pF @ 25 V
Eingang	Dreiphasiger Brückengleichrichter
NTC-Thermistor	Ja
Betriebstemperatur	-40°C bis 125°C
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	Modul
Basis-Produktnummer	BSM50G