FF3MR20KM1HPHPSA1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FF3MR20KM1HPHPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-FF3MR20KM1HPHPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FF3MR20KM1HPHPSA1
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Standardlieferzeit des Herstellers
14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 2000V (2kV) 325 A (Tc) Chassisbefestigung AG-62MMHB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FF3MR20KM1HPHPSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
2000V (2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
325 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm bei 400A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,15V bei 224mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
1560nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
48200pF bei 1200V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
AG-62MMHB
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