
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FF4MR12W2M1HB70BPSA1 |
Beschreibung | LOW POWER EASY |
Standardlieferzeit des Herstellers | 10 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 200A Chassisbefestigung |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 200A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 4mOhm bei 200A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,15V bei 80mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 594nC bei 18V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 17600pF bei 800V | |
Leistung - Max. | - | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | - |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 157.73000 | Fr. 157.73 |
15 | Fr. 147.34000 | Fr. 2’210.10 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 157.73000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 170.50613 |