FF4MR12W2M1HB70BPSA1
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FF4MR12W2M1HB70BPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-FF4MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Beschreibung
LOW POWER EASY
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 200A Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FF4MR12W2M1HB70BPSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
200A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4mOhm bei 200A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,15V bei 80mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
594nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
17600pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
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