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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH003P120M3F2PTHG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NXH003P120M3F2PTHG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH003P120M3F2PTHG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM |
Standardlieferzeit des Herstellers | 21 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 350 A (Tc) 979W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 350 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 5mOhm bei 200A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,4V bei 160mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 1195nC bei 20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 20889pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 979W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 36-PIM (56,7x62,8) | |
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 49
Bestand des Herstellers: 300
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Menge
Alle Preise in CHF
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 166.07000 | Fr. 166.07 |
| 20 | Fr. 156.43800 | Fr. 3’128.76 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 166.07000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 179.52167 |
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